2019/02/12

最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6を創製
  ~88年ぶりに記録を更新~

 

日本電信電話株式会社

東京大学大学院理学系研究科

 

概要

日本電信電話株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:澤田 純、以下 NTT)は、電気を通さない物質(絶縁体)の中で、最高の温度(780°C以上)で磁石としての性質(強磁性)を示す新物質Sr3OsO6[Sr(ストロンチウム)、Os(オスミウム)、O(酸素)からなる物質]を世界で初めて合成・発見し、磁性発現の起源となる電子状態を、東京大学大学院理学系研究科物理学専攻 常行真司教授らの研究グループ(以下 東大)と共同で明らかにしました。

今回合成した物質は、88年ぶりに絶縁体の強磁性転移温度(キュリー温度)を更新するもので、長年の磁性材料研究の歴史を塗り替える成果です。この新物質の発見により、高い温度で強磁性が発現するメカニズムに関する基礎科学的な知見が得られました。また、現存する高温磁性材料のほとんどに鉄やコバルトが含まれるのに対し、新物質はこれらの元素を含まないため、磁性材料の開発に新機軸をもたらすと考えられます。さらに、Sr3OsO6は、素子化に適した単結晶薄膜の形で合成されました。そのため、室温~250°C程度の実用的な温度で安定に動作する、磁気ランダムアクセスメモリや磁気センサといった高機能磁気素子の開発につながるものと期待されます。

本成果は、英国科学雑誌「Nature Communications」2月12日号に掲載されました。

 

図. 1a: Sr3OsO6の結晶構造(ダブルペロブスカイト)の模式図。黄丸、赤丸、青丸はそれぞれSr、Os、O原子を示しています。図1b: 合成したSr3OsO6の、原子レベルに拡大された顕微鏡像(透過型走査電子顕微鏡像)。[110]結晶方向からみた像で、原子レベルでSrとOsが図1aの通りに規則的に配列していることが分かります。

 

詳細については、日本電信電話株式会社 のホームページをご覧ください。

―東京大学大学院理学系研究科・理学部 広報室―

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