合田義弘
出典: 東京大学 大学院理学系研究科 教員情報 Wiki
合田 義弘 (ごうだ よしひろ)
GOHDA, Yoshihiro
| 職名 | 助教 |
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| 所属 | 理学系研究科 物理学専攻 |
| メールアドレス | |
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| 居室 | 理１号館9階947号室 |
| 電話番号 | 03-5841-4174 24174 (内線) |
研究分野
物性理論、 ナノサイエンス
研究テーマ
固体、表面・界面、ナノ材料等における電子物性の理論解析およびナノマテリアルデザイン
研究内容の概要
実験に基づくパラメーターによらない第一原理計算手法を用いて、 固体、表面・界面、ナノ材料等凝集系の物性を理論的に予測・理解する。 主なターゲットには窒化物半導体・ホウ素系化合物およびそれらの界面、 ナノ触媒、伝導性有機分子が含まれる。 量子電子輸送など標準的な手法で扱えない現象・物性については、 理論解析の方法論開発も行う。
キーワード
第一原理計算；表面界面科学；半導体物理学；量子電子輸送
Selected Publications
Y. Gohda and S. Tsuneyuki, “Structural phase transition of graphene caused by GaN epitaxy”, Appl. Phys. Lett. 100, 053111 (2012).
Y. Gohda and S. Tsuneyuki, “Two-dimensional intrinsic ferromagnetism at nitride-boride interfaces”, Phys. Rev. Lett. 106, 047201 (2011).
Y. Gohda and A. Oshiyama, “Intrinsic ferromagnetism due to cation vacancies in Gd-doped GaN: First-principles calculations”, Phys. Rev. B 78, 161201(R) (2008).
Y. Gohda, S. Watanabe, and A. Gross, “Quantum Electron Transport through Ultrathin Si Films: Effects of Interface Passivation on Fermi-Level Pinning”, Phys. Rev. Lett. 101, 166801 (2008).
Y. Gohda and S.T. Pantelides, “Charging of Molecules during Transport”, Nano Lett. 5, 1217 (2005).
Y. Gohda and S. Watanabe, “Total Energy Distribution of Field-Emitted Electrons from Al(100) Surface with Single-Atom Terminated Protrusion”, Phys. Rev. Lett. 87, 177601 (2001).
Y. Gohda, Y. Nakamura, K. Watanabe, and S. Watanabe, “Self-Consistent Density Functional Calculation of Field Emission Currents from Metals”, Phys. Rev. Lett. 85, 1750 (2000).